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碳化硅单晶片生产项目二期顺利获批
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3上一篇  下一篇4 2019年11月08日 版面导航 放大 缩小 默认        

碳化硅单晶片生产项目二期顺利获批

 

  本报讯(融媒体中心记者 张泉)近日,记者从相关职能局获悉,北京华进创威电子有限公司碳化硅单晶片生产项目二期许可证顺利获批。

  据了解,该项目位于经开区路东区F6号街区F6F1地块,东至排干渠西路,南至科创十七街北侧规划绿地,西至经海路绿化带,北至科创十六街,用地面积约为3.7万平方米,用地性质为工业用地M1。该项目总建筑面积约10.9万平方米(地上9.3万平方米,地下1.6万平方米),容积率2.5,绿地率20%,建筑密度40%;二期总建筑面积约5.9万平方米(地上4.8万平方米,地下1.1万平方米),包含厂房、科创中心、综合楼、地下停车场等设施。

  记者了解到,北京华进创威电子有限公司是经开区一家创新型企业,此项目获批有利于加强科技创新和成果转化落地,通过建设国家级“半导体材料和器件检测中心”,打造经开区半导体材料与器件检测公共服务平台,向经开区半导体材料及器件企业提供检测服务。

 
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