集成电路装备是国之重器，代表着一个国家的制造业水平。北方华创射频工程中心总经理陈鹏立足本职岗位，主持和参与多项国家重大专项及高端机台研发工作，开发出多项射频与等离子体核心技术，为国产高端半导体制造装备的开发成功做出了重要贡献，在9月10日举办的2019年度北京市科学技术奖励大会上，他荣获杰出青年中关村奖，这是北京科学技术奖首届人物奖。

　　集成电路产业被誉为现代工业的“粮食”，是信息技术产业的核心。2003年，国内半导体制造装备用射频与等离子体技术水平远远落后于国外主流水平，随着863重大专项“100nm高密度等离子刻蚀机”立项，陈鹏参与到其中的射频及等离子体源设计工作中，为了突破技术瓶颈，陈鹏带领团队深入分析对比技术差距点，基于半导体工艺需求，开发出与国际主流技术相当的ICP（电感耦合等离子体）技术和CCP（电容耦合等离子体）技术。

　　陈鹏介绍说，所开发的ICP技术为国内首次自主实现在8吋腔室内，以稳定、无反射波的方式使高频高功率能量耦合至真空腔来将电负性气体激发为均匀的、高重复性的高密度低温等离子体；所开发的CCP技术为国内首次实现在8吋腔室内，在同频激发ICP和CCP的条件下，以相位控制、无反射波的方式使高频高功率能量有效耦合至晶圆以上，形成稳定、高重复性、均匀的鞘层电压，有效控制带电粒子对晶圆进行各项异性刻蚀处理。

　　关键技术突破，加速我国刻蚀设备研制能力达到大生产线主流机型水平，使我国集成电路生产线上第一次出现“中国制造”关键设备，并获得国家科技进步集体二等奖。该设备在主流大生产线实现批量销售。

　　此后，863重大专项“12吋90nm高密度等离子栅刻蚀机反应室关键技术研究”及国家重大专项“90/65nm刻蚀机研发与产业化”项目都有陈鹏的身影。期间，深入分析12吋工艺处理要求，严密开发测试，开发出适应12吋工艺的双输出ICP系统。该双ICP源等关键技术使得国内首次开发出12吋ICP等离子体刻蚀机，已有多台进入主流大生产线，累计销售超过5亿元。

　　“核心技术受制于人是最大的隐患，但是，在建设科技强国的过程中，真正的核心技术靠‘化缘’是要不来的，必须自力更生。”陈鹏在参与承担国家重大专项的同时，带领团队开发的射频匹配器陆续成功应用于刻蚀机、PVD等半导体制造装备上，使得国产装备的开发进度缩短近25%；并且有效降低了设备成本，累计节约成本超过1200万元。

　　融媒体中心记者 方针