本报讯（融媒体中心记者 方针）12月3日，从北方华创科技集团股份有限公司（以下简称“北方华创”）传来喜讯，日前，上海集成电路研发中心有限公司（ICRD）采用北方华创NMC612D电感耦合等离子体（ICP）刻蚀机等国产设备完成了14nm鳍式晶体管自对准双重图形（14nm FinFET SADP）相关工艺的自主开发，各项工艺指标均已达到量产要求，在集成电路14nm核心工艺技术上取得了重大进展。

　　SADP技术，即一次光刻完成后，相继使用沉积和刻蚀等工艺步骤，在模板线条侧壁上形成间隔物，当去除最初的模板材料后，用间隔物来定义所需的最终结构，从而实现线条密度的加倍，解决了小尺寸图形的制备难题。

　　ICRD对使用的国产集成电路设备进行了核心工艺研发，北方华创NMC612D ICP刻蚀机作为核心刻蚀工艺设备，其工艺表现将直接影响鳍式晶体管器件的工艺性能和良率，凭借其优良的刻蚀形貌控制、均匀性控制、较低刻蚀损伤、较高刻蚀选择比等方面的技术优势，北方华创的NMC612D ICP刻蚀机为相关工艺的成功开发做出了重大贡献,并为5nm SAQP技术的自主开发奠定了坚实的基础。

　　NMC612D刻蚀机可以满足14纳米多种刻蚀工艺制程要求，并具备7/5纳米工艺延伸能力。提供同步脉冲双射频等离子源，在刻蚀形貌控制、均匀性控制、减少刻蚀损伤、刻蚀选择比提高等方面具有技术优势，可满足刻蚀工艺的各项需求指标。NMC612D电感耦合等离子体刻蚀机在ICRD 14nm FinFET SADP工艺开发中的成功应用，是ICRD和北方华创战略合作取得的阶段性重大成果，填补了国产高端集成电路设备在先进集成电路工艺制程领域14nm FinFET SADP刻蚀工艺应用的空白，证明了国产机台的性能已达到业界先进水平。

　　北方华创拥有半导体装备、真空装备、新能源锂电装备及精密元器件四个业务模块，为半导体、新能源、新材料等领域提供解决方案，公司现有四大产业制造基地，营销服务体系覆盖欧、美、亚等全球主要国家和地区。