本报讯（融媒体中心记者 方针）12月初开始，国创中心携搭载国产自主硅基IGBT（绝缘栅双极型晶体管）、碳化硅二极管和碳化硅MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管）的试验车来到海拉尔，进行为期一个月、单车累计6000公里的低温试验，以验证在高寒真实车况下，国产自主车规半导体的性能和可靠性表现。今年7月，国创中心已在高温40℃以上的吐鲁番进行了为期一个月的“极限高温”测试项目。

　　通过反复测试国产车规半导体在各种极端情况下的质量状况和适应能力及对标试验，与国外产品进行全项目对比分析，发现问题并实施改进措施，最终为助推国产自主车规半导体上车应用提供公开透明的测试认证和咨询服务。按照汽车行业的测试标准，车规半导体分别进行试验室功性能、常温试验场、高温试验场、高寒试验场测试，以验证车规半导体在不同工况下的性能和可靠性，预计2020年4月完成所有测试项目，届时向行业发布测试结果，加快国产半导体上车步伐。

　　12月11日，国创中心邀请12家整车和半导体企业的专家共赴海拉尔，实地开展车规半导体测试验证工作，并召开车规半导体首批测试验证项目高寒测试技术研讨会。国创中心详细介绍了现阶段车规半导体业务取得的成果和车规半导体首批测试验证项目现状，征求各参会企业对车规半导体测试认证工作的意见和建议，同时针对车规半导体的测试认证流程、车规半导体产业所需国家项目政策支持以及全碳化硅MOS模块封装技术发展趋势等方面开展专题讨论并进行深入探讨。与会专家对国创中心测试认证工作流程表示充分认可并达成共识，同时对车规半导体测试验证项目给予高度评价和肯定。

　　国创中心相关负责人介绍说，国创中心通过标准制修订、产品测试、对标分析、技术攻关、质量审核、认证体制机制、平台搭建、行业交流等组合措施，力促自主半导体技术水平飞速提升，打通其整车配套之路。最后国创中心向各整车和半导体企业发布车规半导体拉力赛课题征集活动，征集车规半导体领域具有技术先进性的项目，希望利用国创中心的测试验证平台功能，实现对相关产品性能参数及运行效果的测评并最终产业化落地。

　　国创中心秉承国家战略要求，整合行业资源，联合半导体行业和汽车行业的合作伙伴和技术专家共同开展“国产自主车规半导体测试认证”项目，以整车动力总成控制单元的功率半导体为切入点，进行国产自主半导体部件的全替换，开展系统的器件试验室测试、产品对标测试、系统台架测试及整车搭载测试。从测试和应用的角度出发，推进我国车规半导体的标准体系建设、测试认证体系建设以及产品快速迭代优化。

　　下一步国创中心将在集成电路等方向进行国产自主半导体上车测试认证探索。