本报讯（融媒体中心记者 方针）科技创新再传喜讯。7月17日，记者从电科装备45所了解到，由其牵头承担的“激光隐形划切设备及工艺开发项目近日顺利通过北京市科委验收。专家一致认为，电科装备45所研发的激光隐形划切设备突破了激光划切实时测高及动态焦点跟随、运动轨迹控制、分层隐形划切等关键技术，掌握了碳化硅（SiC）晶圆隐形划切工艺，满足碳化硅晶圆切割需求，并且有望带动国产激光器等核心器件的自主可控发展。

　　SiC材料具有高频率、高功率、耐高温、化学稳定性好等优点，是第三代半导体的优秀代表。目前常使用砂轮划切和激光表面烧蚀划切，前者效率低且划切槽较宽，造成严重的材料浪费和刀具磨损；后者由于热影响和熔渣影响器件性能，无法满足工艺需求。

　　经过不断地创新，电科装备45所研发的激光隐形划切工艺将激光聚焦在材料内部形成改质层，然后通过裂片或扩膜的方式分离晶粒，使得晶圆表面无划痕、无粉尘污染，几乎无材料损耗，加工效率高，划切完后无需清洗，适合于材料昂贵、抗污染能力差的器件生产。该工艺可以广泛用于碳化硅、蓝宝石、石英、铌酸锂等晶圆划片领域。

　　据介绍，激光隐形划切设备满足了碳化硅晶圆切割的需求，性能指标达到同类产品国际先进水平。项目开发中，研发团队还与国内激光器厂家合作开发了适合碳化硅晶圆划切的皮秒激光器，同步提升了国产超快激光器制造技术。

　　激光隐形划切设备的成功研发，极大增强了国内半导体装备业的整机制造和工艺研发能力，提升了器件生产企业的核心竞争力。此外，电科装备45所还建立了适用于激光隐形划切设备研制的技术平台、装配平台和检测平台，未来能够有力推动其他激光划片设备的技术提升及产业化进程。

　　科技成果转化是加速创新驱动发展的重要引擎。下一步，将加速激光隐形划切设备进入碳化硅器件产线验证，全面考核和提升设备性能，积极探索设备在铌酸锂晶体、钽酸锂晶体、石英晶体等方面的应用。