本报讯（融媒体中心记者 方针）11月27日，从北京烁科中科信电子装备有限公司（以下简称“烁科中科信”）传来好消息：烁科中科信自主研发的离子注入机正在进入国内各大集成电路制造厂商，其中中束流离子注入机CI P900系列早已通过中芯国际产业化验证,为实现大批量应用打下坚实基础。截至目前，烁科中科信已拥有中束流离子注入机、大束流离子注入机、高能离子注入机和定制离子注入机四种产品，构建了较为系统的集成电路离子注入机谱系，2019年公司销售各型离子注入机达11台。

　　离子注入机是将特定种类离子以指定参数（能量、流强、角度等）注入至特定材料中的一种设备。离子注入机是半导体尤其是集成电路的核心装备，执行的是核心的掺杂工艺。半导体要做成器件，要改变电性能，必须掺入杂质，离子注入机就是执行掺杂工艺的标准设备。每一个器件生产过程中，需要进行很多次离子注入，注入到器件不同的位置，注入的次数对于不同器件类型和工艺节点有差异，例如对于28nm逻辑器件，注入次数约为40次。

　　“经过多年的技术积累，我们实现了离子注入机这一集成电路制造核心关键设备在28nm以上工艺领域的进口替代能力和自主可控，具备年产30台离子注入机的能力。”烁科中科信总经理舒勇东介绍说，研发的中束流离子注入机65-28nm工艺量产12英寸晶圆超过400万片，达到了国外同类型设备水平，产品已经批量进入市场。大束流离子注入机工艺覆盖至28nm，65-28nm工艺量产晶圆超过20万片，高能机预计2020年底进入客户端验证。定制离子注入机主要针对6英寸及以下市场，设备应用比较广泛，可根据客户具体需求定制。针对SiC市场，基于中束流离子注入机技术，推出SiC注入机并应用于客户端，适用晶圆尺寸为主流的4-6英寸。

　　在研发过程中，研发团队攻克了光路、晶圆传输、剂量控制、通用软件系统等离子注入机共性关键技术。中束流离子注入机突破了高精度束流角度控制、小发射度长寿命离子源等关键技术，大束流离子注入机则进一步突破了低能大流强束流传输与控制、支持十余种离子的大流强长寿命离子源等关键技术，高能离子注入机在高能（MeV）离子加速、高电荷态离子源等关键技术上实现了突破。据了解，今年6月，烁科中科信注册成立，这家源于中国电科48所的公司，从上世纪60年代开始做离子注入机，先后承担了90-65nm中束流和45-22nm大束流等重大项目的攻关任务，是国内唯一一家专注于集成电路领域离子注入机业务的高端装备供应商。

　　责任呼唤担当，使命引领未来。舒勇东说，烁科中科信将围绕攻克核心关键技术持续发力，推进中束流和大束流离子注入机产业化，实现全系列离子注入机自主可控，同时，跟随先进工艺发展，开展适用于更先进工艺节点的离子注入机的研发工作，并不断开拓在三代半导体、材料制备、5G器件制备等新兴领域的应用。

　　【创新辞典】 

　　离子注入机

　　是将特定种类离子以指定参数（能量、流强、角度等）注入至特定材料中的一种设备。离子注入机是集成电路制造前工序中的关键设备，离子注入是对半导体表面附近区域进行掺杂的技术，其目的是改变半导体的载流子浓度和导电类型。离子注入与常规热掺杂工艺相比可对注入剂量、注入角度、注入深度、横向扩散等方面进行精确的控制，克服了常规工艺的限制，提高了电路的集成度、开启速度、成品率和寿命，降低了成本和功耗。