本报讯（融媒体中心记者 方针）1月10日，国家科学技术奖励大会在北京举行，由中国科学院半导体研究所、三安光电股份有限公司、北京良业环境技术股份有限公司（以下简称“北京良业”）等机构和公司共同完成的“高光效长寿命半导体照明关键技术与产业化项目”荣获国家科学技术进步一等奖。1月17日，记者走进北京良业，探访高光效长寿命半导体实现产业化背后的故事。

　　走进北京良业，记者就立刻被走廊两边墙上挂着的“一带一路”峰会、APEC会议、国家体育场（“鸟巢”）等场景的照片所吸引，在灯光的映射下，这些照片显得格外抢眼，仿佛进入了光影世界。北京良业创始人梁毅告诉记者，“高光效长寿命半导体照明关键技术与产业化项目”不仅在技术上得到了认可，还取得了较好的经济效益，2017年至2019年9月，北京良业应用该项技术所带来的新增营业收入规模近33.8亿元，是中国LED照明技术在夜间经济、文化旅游市场应用推广的龙头企业。

　　据了解，高光效长寿命半导体照明关键技术属于第三代半导体技术领域。以氮化物基发光二极管（LED ）为核心器件的新一代半导体照明光源具有高效节能、绿色环保的特点，是全球最有发展前景的高技术产业之一，随着各国淘汰白炽灯计划进一步实施，LED通用照明市场将呈现爆发式增长。但半导体照明产品面临电光转化效率低、长期工作可靠性差、标准缺失等难题，关键技术被美日垄断。

　　面向半导体照明产品光电转化效率、长期工作可靠性等核心技术难题，在国家科技计划的持续支持下，由中国科学院半导体研究所作为牵头单位，北京良业等单位组成的项目组从半导体照明材料、芯片、封装、模组与应用全链条开展产研联合技术攻关，项目历时十余年联合技术创新，率先突破了全链条自主可控的半导体照明关键技术，实现了全球最大规模的LED芯片产业化。评审委员会在对该项目相关成果的鉴定意见中说：“LED发光效率、热阻、量子效率维持率、 p-GaN电阻率等部分关键指标达到国际领先水平。该成果不仅具有重要学术价值，而且实现了大规模产业化应用，推动了我国半导体照明产业的发展。”

　　据介绍，该项目的创新技术主要包括四个方面，揭示不同电流密度下载流子输运与复合的物理机制，提出缺陷共振态pp型掺杂方法；发明复合纳米图形化蓝宝石衬底的GaN外延成核技术和激光诱导空气隙与界面光子调控光提取技术。发明嵌入式电流阻挡与掺杂铟锡氧化物。突破超低衰减LED光源模组技术、半导体照明规模化系统集成技术和产业亟须的应用产品规格化标准化共性关键技术，创建一套完整的测试评价与标准体系。

　　照明，是追求“光明的艺术”。梁毅说，北京良业作为光影创意运营商，一直以技术创新作为发展动力，积极参与制定多项技术标准，自主研发智慧路灯、智慧园区及智慧城市赋能平台等平台技术，在照明模组技术、控制技术、光影技术、智慧路灯等领域开展技术创新。对践行创新驱动发展战略、推动产业转型升级意义重大。